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작성자 최고관리자 작성일21-10-12 12:20 조회27회 댓글0건

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EUV 멀티레이어 공정 도입…차세대 DDR5 적용
이전 공정 대비 소비전력 20% 개선·생산성 20% 향상
5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대 메모리 솔루션될 것동행복권파워볼

삼성전자 업계 최선단 14나노 DDR5 D램(사진=삼성전자)
[이데일리 배진솔 기자] 삼성전자(005930)가 극자외선(EUV)공정을 적용한 업계 최선단 14나노(nm·10억분의 1m) D램 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.

삼성전자는 2020년 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 이후 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용했다. 후발 주자인 SK하이닉스와 마이크론도 D램에 EUV도입을 시작한 상황에서 차별화된 기술로 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보할 계획이다.동행복권파워볼

하나파워볼극자외선 파장의 광원을 이용해 회로 패턴을 새겨넣는 EUV는 기존 공정인 불화아르곤(ArF)광원보다 파장이 훨씬 짧아 더 미세한 회로를 그릴 수 있다. 삼성전자의 최선단 14나노 D램 기술은 5개의 레이어에 EUV 공정을 적용했다. 이에 업계 최고의 웨이퍼 집적도를 갖추며 소비전력이 이전 공정 대비 약 20% 개선되고 생산성이 약 20% 향상시켰다.하나파워볼

하나파워볼삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격으로 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속 커지고 있다.동행복권파워볼

삼성전자는 업계 최선단의 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정기술력을 기반으로 차별화된 성능과 안정된 수율을 구현해 DDR5 D램 대중화를 선도한다는 전략이다. 또 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.하나파워볼

이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장 전무는 “삼성전자는 지난 30년간 끊임없는 기술 혁신을 통해, 반도체 미세 공정의 한계를 극복해 왔으며, 이번에도 가장 먼저 멀티레이어에 EUV 공정을 적용해 업계 최선단의 14나노 공정을 구현했다”며 “고용량, 고성능 뿐만 아니라 높은 생산성으로 5세대 이동통신(5G)·인공지능(AI)·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다”고 밝혔다.동행복권파워볼

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